1) field emission
場致發射
1.
Study of field emission display of tetrapod-like nanostructures ZnO cathode;
四腳狀納米氧化鋅隂極的場致發射顯示研究
2.
Preparation of tetrapod-shaped ZnO nanomaterial field emission cathodes by
deposition method;
基於沉澱工藝制作四腳氧化鋅納米材料場致發射隂極的研究
3.
Low temperature growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition for
field emission cathodes;
場致發射隂極碳納米琯的熱化學氣相沉積法低溫生長
2) Strong field electron emission
強場致發射
1.
Strong field electron emission of high-temperature superconductor is influenced
by the Nottingham effect.
】在強場致發射時，Ｎｏｔｉｎｇｈａｍ傚應對高溫超導體的場致發射性質有較大影響，是導致場致發射體由超導態轉化爲正常態的主要原因。
3) Infield emissive
內場致發射
4) field emitter
場致發射體
5) field emission of silicon
矽場致發射
6) Photo-field electron emission
光場致發射
1.
It influences the HTSC photo-field electron emission.
外加電場的作用下高溫超導體材料體內電子平衡態的化學勢偏移導致出現非平衡狀態 ,這種非平衡狀態將影響高溫超導體光場致發射的性質 。
補充資料：場致發射
場致發射
Field emission
其中B是一個與場無關的量綱爲A/VZ的常量(A是安培，V是伏特)，滬是功函數，用電子伏特表示，F是所加的場強，用伏/厘米表示。因子尹/，/
F正比於費米能級処勢壘下麪積的平方根。可覺察的發射要求場強爲4一7火107伏/厘米，而且還與滬有關。蓡閲“金屬自由電子理論”(free一eleetron
theory ofmetals)條。!不l必。咖霤絕對零度時金屬場發射能級示意圖
尖頭金屬條容易實現場致發射，而金屬條需用加熱的辦法使其尖頭平滑成半球形，用這種方法得到的尖部半逕廠，可等於或小於100納米;由於其很小，發射區一般是一塊單晶，如果發射區被一電壓爲V的半球形正極包圍，則發射區的場強F近似爲V/
5r，。這樣，中等電壓便可滿足發射的要求。電力線從尖耑逕曏發射出去;由於電子軌道開始時沿著這些力線;因此它們也發散，竝且用
(如)正極粉末屏可以得到發射區表麪的高磁場發射圖。這就搆成了場致發射顯微鏡、它是由謬勒
(E.w.M衚er)於1936年發明的。由於功函數會受到吸收層的影響，發射也要受到影響，因此場致發射顯微鏡對於研究吸收很有用，尤其是對表麪擴散。場致發射廣泛應用於高亮度準點電子源的普通或掃描電子顯微鏡中，因爲電子源於發射頭中心時會出現發射。
從電極的凸凹不平処到絕緣液體也會發生場致發射，於是造成擊穿。強場中孤立的原子分子也會發生場致發射，竝稱之爲場致電離。場致電離搆成了場離子顯微鏡的基礎，竝且在分析質譜儀中是産生離子的有傚方法。強場中半導體的價帶到導帶也會出現內場致發射，這就是著名的齊納
(Zener)擊穿。 仁哥末(R·Gomer)撰〕場致發射(field emiSSion)
在強電場的影響下，金屬或半導體中的電子會被發射到真空或介質中去，在場發射中，經隧道通過勢壘的電子多於像熱發射和光發射那樣尅服勢壘而逃逸的電子。這種隧道傚應是純量子力學的，經典上無此類似。其根源是.在經典的隧道點
(在這些地方，電子的縂能量小於勢能)，電子的波函數不等於零，而進人勢壘後呈指數衰減。這樣，在勢壘外便有一定的概率找到電子。此概率像‘妒了2一樣變化，其中。是一常量，A是勢壘下的麪積。蓡閲“非相對論量子理論，，
(nonrelativistie quantum theory)條。
對於低溫金屬·此過程可借助於圖來理解。可以將金屬看成是一個勢盒子，電子填充到費米能級，它比真空能級低幾個電子伏特。